3D DRAM验证成功 内存技术迎来革新

NEO Semiconductor 3D X-DRAM 技术概念验证成功，预示 AI 内存新纪元

2026年4月23日，美国新创人工智能与存储技术厂商 NEO Semiconductor 宣布，其备受瞩目的 3D X-DRAM 技术已成功完成概念验证（Proof-of-Concept, POC）。这一里程碑式的进展证明了其新型 3D 堆叠内存技术能够利用现有的 3D NAND Flash 生产线进行制造，为应对 AI 时代对高密度、低功耗、低成本内存解决方案日益增长的需求铺平了道路。

性能飞跃：3D X-DRAM 远超现有 DRAM 标准

此次概念验证芯片的开发，是 NEO Semiconductor 与中国台湾阳明交通大学产学创新学院（IAIS）紧密合作的成果，并在应用研究院台湾半导体研究所（NIAR-TSRI）完成了流片与测试。芯片通过了严苛的电学与可靠性评估，充分证实了其内存架构的稳健性和稳定性。

概念验证测试结果显示，NEO Semiconductor 的 3D X-DRAM 在关键性能指标上展现出压倒性优势：

• 读写延迟：低于 10 纳秒（＜10 ns），完全满足高性能计算对速度的极致要求。
• 数据保持时间：在 85℃ 高温下可保持超过 1 秒，这是 JEDEC（固态技术协会）标准 DRAM 64 毫秒保持时间的 15 倍之多，极大地提升了数据可靠性。
• 抗干扰能力：在 85℃ 下，位线干扰和字线干扰均超过 1 秒，展现出卓越的信号完整性。
• 循环耐久性：超过 10¹⁴ 次读写周期，意味着其使用寿命远超现有 DRAM 规格，可应对严苛的应用场景。

这些数据表明，3D X-DRAM 不仅在保持高速读写能力的同时，还在数据保持和耐用性方面取得了突破性进展，预示着其在满足未来计算需求方面具有巨大潜力。

前台积电首席技术官、现任阳明交通大学资深副校长孙元成（Jack Sun）博士对此次合作给予高度评价：“我很高兴这次产学界紧密的合作，在真实的硅制造工艺条件下验证了 NEO 3D DRAM 概念的可行性。这项成功的概念验证不仅展示了创新内存架构的潜力，也证实了利用成熟工艺实现先进内存技术的可行性。”

TechInsights 高级技术研究员 Jeongdong Choe 指出：“随着传统 DRAM 微缩接近极限，NEO 的硅基概念验证代表着重要的里程碑。就像过去十年向 3D NAND 的转型一样，我们现在正见证着超越传统微缩极限的 3D DRAM 新纪元的曙光。”

重塑 AI 内存格局：3D X-DRAM 与 X-HBM 的潜力

当前，NAND Flash 闪存已全面进入 3D 时代，通过不断攀升的堆叠层数，实现了容量的巨大提升和单位比特成本的快速下降。然而，DRAM 在 2D 平面时代面临着微缩瓶颈，单位比特成本降低幅度缓慢。虽然曾有如英特尔 Optane 3D XPoint 等存储级内存技术尝试缩小与 NAND 的差距，但因成本、产量等问题未能广泛普及。

NEO Semiconductor 提出的 3D X-DRAM 技术，借鉴了 3D NAND Flash 的成功模式，通过增加堆栈层数来大幅提升内存容量。其早期的“1T0C”（一个晶体管，零个电容器）单元设计，利用类似 3D NAND 的浮栅极技术，有望实现高达 230 层堆栈，核心容量可达 128Gb，是当前 2D DRAM（16Gb）的 8 倍，并兼具高良率、低成本和高密度的优势。

在 2025 年，NEO Semiconductor 进一步推出了 1T1C 和 3T0C 架构，并计划在 2026 年量产概念验证测试芯片，届时密度最高可达 512Gb，将提供当前传统 DRAM 模块 10 倍的容量。NEO Semiconductor 甚至预测，到 2030 年至 2035 年间，单颗内存芯片容量有望达到 1Tb，这将极大改变内存系统的容量密度和成本构成。

此次 3D X-DRAM 技术概念验证的成功，为实现其商业化铺平了道路。更重要的是，该技术不仅能满足 AI 工作负载对高性能、低功耗的需求，还能利用现有的 3D NAND Flash 制造工艺，实现快速规模化量产。NEO Semiconductor 创始人兼 CEO Andy Hsu 表示：“这些结果验证了 DRAM 新的微缩路径。我们相信这项技术可以为 AI 时代实现显著更高的密度、更低的成本和更高的能效。通过利用成熟的 3D NAND 制造工艺和生态系统，我们的目标是让 3D DRAM 更快成为现实。”

在超高带宽内存（X-HBM）方面，NEO Semiconductor 也在 2025 年推出了基于 3D X-DRAM 技术的全球首个 X-HBM 架构。该架构拥有 32000 位（32K-bit）的超高位宽和单层 512Gb 的容量，相较于传统 HBM，带宽提升 16 倍，密度提升 10 倍。这在 AI 算力需求呈指数级增长、传统 HBM 面临密度、带宽、功耗瓶颈的背景下，无疑为未来 AI 芯片提供了强大的内存支持，甚至在性能上提前约 15 年超越了行业预测。

宏碁创始人领投，加速商业化进程

NEO Semiconductor 成立于 2012 年，专注于内存架构的创新，以满足 AI 和数据驱动计算的需求。其核心技术包括 X-NAND、3D X-AI 和 X-HBM，以及旗舰产品 3D X-DRAM。

在此次 3D X-DRAM 技术成功完成概念验证之际，NEO Semiconductor 同时宣布获得了由宏碁创始人、台积电前董事施振荣（Stan Shih）领投的新一轮战略投资。施振荣先生的参与，被视为对 NEO Semiconductor 技术实力和未来愿景的有力认可。施振荣先生表示：“我很高兴看到这一突破通过产业界与学术界的合作实现……NEO 的 3D DRAM 预计将在未来系统架构中发挥关键作用。”