台积电2nm产能提速:首年产量增四成半
为应对人工智能(AI)和高性能计算(HPC)市场需求的爆炸式增长,全球领先的半导体制造企业台积电正以前所未有的速度加速其产能扩张计划。据公司高层透露,与以往相比,当前台积电的扩产步伐已达到“二倍速”。
2nm及以下制程加速量产
台积电正积极推进其2nm制程技术的量产。公司预计,在2024年将有五座2nm晶圆厂进入产能爬坡阶段,这将是公司历史上最为激进的扩产策略。得益于此,2nm制程的首年产出预计将比3nm制程同期产出提升约45%,预示着先进工艺的快速迭代和市场渗透。
3nm产能布局全球化推进
与此同时,为满足AI应用日益增长的需求,台积电正在加大资本投入以扩展3nm产能。这一战略布局体现在全球范围内的建厂计划。公司位于台南科学园区的3nm工厂预计在2025年上半年实现量产。此外,其在美国亚利桑那州建设的第二座工厂已完成主体建设,计划于2025年下半年开始量产3nm晶圆。日本熊本的第二工厂也将引入3nm制程,并预计于2028年投入生产。
1nm及以下技术研发蓄势待发
行业观察:先进工艺竞争加剧,AI需求成关键驱动力

展望未来,台积电已在最前沿的制程技术研发上布局。公司计划在中国台湾台南兴建A10晶圆厂,其中P1至P4厂区将专注于1nm及更先进制程技术的研发与生产。该项目预计于2029年启动试产,初期规划月产能为5000片晶圆,标志着半导体工艺向更微缩化节点迈进的新里程碑。
台积电“二倍速”的扩产行动,尤其是对2nm及以下先进制程的激进部署,清晰地表明了其对未来市场格局的判断。AI和HPC需求的强劲增长正成为驱动半导体行业发展的核心引擎。此次台积电在全球范围内分散3nm产能,一方面是为了贴近客户需求,另一方面也是对地缘政治风险的考量。然而,在先进工艺的竞争中,能否顺利实现良率爬坡、控制成本以及保障供应链的稳定性,将是台积电能否持续保持领先地位的关键。同时,这也将进一步加剧与三星等竞争对手在先进工艺节点上的角力。